Guía de Selección de Electrodos Metálicos para Perfil C

NOTA: Una punta tratada térmicamente es ideal para penetrar membranas resistentes. (No se recomienda para implantación crónica.) Este proceso se realiza usando un microforjador en el que el elemento calefactor se posiciona cerca de la punta para fundir el Parylene-C distal al metal expuesto. Proporciona una transición suave y mejora la adherencia del Parylene-C al metal. Tanto los electrodos KT como los no KT pueden ser tratados térmicamente. El tratamiento térmico se aplica solo al recubrimiento de parylene. El calor funde el parylene para que se extienda suavemente cerca del vástago, cerca de donde la punta está expuesta. Esto elimina el borde abrupto donde se ha removido el parylene para crear la exposición de la punta. El propósito es evitar que el parylene se despegue del electrodo durante la implantación en tejido, lo que podría engancharse en el borde. El tratamiento térmico no funciona bien en aplicaciones crónicas, porque el borde extendido es susceptible a la intrusión de fluidos con el tiempo, lo que alterará desfavorablemente las características de impedancia del electrodo.

Para que sus electrodos sean tratados térmicamente, simplemente agregue el sufijo “H” a cualquiera de los números “KT”. Este tratamiento tiene un costo adicional. Por favor, llame para consultar precios.

Microelectrodos Perfil C

Platino Iridio

Tabla comparativa de Perfil C de Platino Iridio, 51 mm

Código de pedido	Longitud	Aislamiento Grosor	Vástago Diámetro	Nominal Impedancia ±20%	Punta Diámetro	Uso típico	Cantidad
PTM23B10KT	51mm	3µ	0.356mm	1.0MΩ	1-2µ	Grabación de unidad simple y múltiple, estimulación, implantes crónicos.	Paquete de 10

Tabla comparativa de Perfil C de Platino Iridio, 305 mm

Código de pedido	Longitud	Aislamiento Grosor	Vástago Diámetro	Nominal Impedancia ±20%	Punta Diámetro	Uso típico	Cantidad
PTM123B05KT	305mm	3µ	0.61mm	0.5MΩ	1-2µ	Estudios cerebrales profundos	Paquete de 5

Tungsteno

Tabla comparativa de perfil de tungsteno C, 76 mm de largo, vástago de 0.145 mm

Código de pedido	Longitud	Aislamiento Grosor	Vástago Diámetro	Nominal Impedancia ±20%	Punta Diámetro	Uso típico
TM31C05KT	76mm	1µ	0.145 mm	0.5 MΩ	1µ	Registro de células pequeñas muy juntas
TM31C20KTH	76mm	1µ	0.145 mm	2..0 MΩ	1µ	Registro de células pequeñas muy juntas
TM31C40KT	76mm	1µ	0.145 mm	4.0 MΩ	1µ	Registro de células pequeñas muy juntas
TM31C40KTH	76mm	1µ	0.145 mm	4.0 MΩ	1µ	Registro de células pequeñas muy juntas
TM33C05KT	76mm	1µ	0.145 mm	0.5 MΩ	1µ	Unidad simple y estimulación / uso crónico
TM33C10KT	76mm	1µ	0.145 mm	1.0 MΩ	1µ	Unidad simple y estimulación / uso crónico
TM33C20KT	76mm	1µ	0.145 mm	2.0 MΩ	1µ	Unidad simple y estimulación / uso crónico
TM33C20KTH	76mm	1µ	0.145 mm	2.0 MΩ	1µ	Unidad simple y estimulación / uso crónico
TM33C40KT	76mm	1µ	0.145 mm	4.0 MΩ	1µ	Unidad simple y estimulación / uso crónico
TM33C40KTH	76mm	1µ	0.145 mm	4.0 MΩ	1µ	Unidad simple y estimulación / uso crónico

Tabla comparativa de perfil de tungsteno C, 76 mm de largo, vástago de 0.216 mm

Código de pedido	Longitud	Aislamiento Grosor	Vástago Diámetro	Nominal Impedancia ±20%	Punta Diámetro	Uso típico
TM31A10KTB	76mm	1µ	0.216 mm	1.0 MΩ	1µ	Registro y microestimulación de unidad múltiple y simple
TM31A10KTH	76mm	1µ	0.216 mm	1.0 MΩ	1µ	Registro y microestimulación de unidad múltiple y simple
TM31A20KT	76mm	1µ	0.216 mm	2.0 MΩ	1µ	Registro y microestimulación de unidad múltiple y simple
TM31A50KT	76mm	1µ	0.216 mm	5.0 MΩ	1µ	Registro y microestimulación de unidad múltiple y simple
TM31A50KTH	76mm	1µ	0.216 mm	5.0 MΩ	1µ	Registro y microestimulación de unidad múltiple y simple
TM33A10KT	76mm	3µ	0.216 mm	1.0 MΩ	1µ	Registro y microestimulación de unidad múltiple y simple
TM33A10KTH	76mm	3µ	0.216 mm	1.0 MΩ	1µ	Registro y microestimulación de unidad múltiple y simple
TM33A20KT	76mm	3µ	0.216 mm	2.0 MΩ	1µ	Registro y microestimulación de unidad múltiple y simple

Tabla comparativa de perfil de tungsteno C, 76 mm de largo, vástago de 0.356 mm

Código de pedido	Longitud	Aislamiento Grosor	Vástago Diámetro	Nominal Impedancia ±20%	Punta Diámetro	Uso típico
TM33B01KT	76mm	3µ	0.356 mm	0.1 MΩ	1-2µ	Registro y microestimulación de unidad simple y múltiple
TM33B01KTB	76mm	3µ	0.356 mm	0.1 MΩ	1-2µ	Registro y microestimulación de unidad simple y múltiple
TM33B01KTH	76mm	3µ	0.356 mm	0.1 MΩ	1-2µ	Registro y microestimulación de unidad simple y múltiple
TM33B05KTH	76mm	3µ	0.356 mm	0.5 MΩ	1-2µ	Registro y microestimulación de unidad simple y múltiple
TM33B10KTB	76mm	3µ	0.356 mm	1.0 MΩ	1-2µ	Registro y microestimulación de unidad simple y múltiple
TM33B10KTH	76mm	3µ	0.356 mm	1.0 MΩ	1-2µ	Registro y microestimulación de unidad simple y múltiple
TM33B20KT	76mm	3µ	0.356 mm	2.0 MΩ	1-2µ	Registro y microestimulación de unidad simple y múltiple
TM33B20KTH	76mm	3µ	0.356 mm	2.0 MΩ	1-2µ	Registro y microestimulación de unidad simple y múltiple

Tabla comparativa de perfil de tungsteno C, 127 mm de largo

Código de pedido	Longitud	Aislamiento Grosor	Vástago Diámetro	Nominal Impedancia ±20%	Punta Diámetro	Uso típico
TM53B05KT	127mm	3µ	0.356 mm	0.5 MΩ	1µ	Penetraciones profundas
TM53A15KT	127mm	3µ	0.216 mm	1.5 MΩ	2µ	Penetraciones profundas para registro y estimulación de unidad simple y múltiple
TM53A05KT	127mm	3µ	0.216 mm	0.5 MΩ	2µ	Penetraciones profundas para registro y estimulación de unidad simple y múltiple
TM53A20KT	127mm	3µ	0.216 mm	2.0 MΩ	2µ	Penetraciones profundas para registro y estimulación de unidad simple y múltiple
TM53B20KT	127mm	3µ	0.356 mm	2.0 MΩ	1µ	Penetraciones profundas
TM53A10KT	127mm	3µ	0.216 mm	1.0 MΩ	2µ	Penetraciones profundas para registro y estimulación de unidad simple y múltiple
TM53B10KT	127mm	3µ	0.356 mm	1.0 MΩ	1µ	Penetraciones profundas
TM53A10KTH	127mm	3µ	0.216 mm	1.0 MΩ	2µ	Penetraciones profundas para registro y estimulación de unidad simple y múltiple. Tratado térmicamente.

Elgiloy/Acero inoxidable

Código de pedido	Longitud	Aislamiento Grosor	Vástago Diámetro	Nominal Impedancia ±20%	Punta Diámetro	Uso típico	Cantidad
SSM123B10KT	76mm	3µ	0.61mm	1.0 M	1-2µ	Estudios cerebrales profundos	Paquete de 5
SSM123B20KT	76mm	3µ	0.61 mm	1.0 M	1-2µ	Estudios cerebrales profundos	Paquete de 5
SSM123B05KT	76mm	3µ	0.61 mm	0.5 M	1-2µ	Estudios cerebrales profundos	Paquete de 5

Iridio puro

Código de pedido	Longitud	Aislamiento Grosor	Vástago Diámetro	Nominal Impedancia ±20%	Punta Diámetro	Uso típico
IRM23E05KT	50mm	3µ	0.180 mm	0.5 MΩ	2-3µ	Registro y estimulación de unidad múltiple y ERP
IRM23E15KT	50mm	3µ	0.180 mm	1.5 MΩ	1-2µ	Registro y estimulación de unidad simple y múltiple
IRM23E20KT	50mm	3µ	0.180 mm	2.0 MΩ	1-2µ	Mayor selectividad y microestimulación
IRM23E25KT-H	50mm	3µ	0.180 mm	2.5 MΩ	1-2µ	Mayor selectividad - células pequeñas
IRM23E30KT	50mm	3µ	0.180 mm	3.0 MΩ	1-2µ	Mayor selectividad - células pequeñas
IRM23E50KT-H	50mm	3µ	0.180 mm	5.0 MΩ	1-2µ	Mayor selectividad - células pequeñas